德国原厂进口贝克BEHLKE高速高压开关

Frank 在该研究项目的早期开发并实现了电子学。他非常喜欢这份工作，但它在 1985 年夏天变得特别令人兴奋，当时科学家们要求 Frank 用他们的 LAMMA 1000 飞行时间质谱仪 ( TOF-MS)的离子透镜为一些实验建造一个高压脉冲发生器。）。就在第一款功率 MOSFET 上市的同时，弗兰克立即意识到，这种全新材料可能是另一款革命性新产品的完美基础。

1985 年整个夏天，他对这种新材料进行了日夜试验，然后他在研究所推出了第一个快速高压推挽开关 ，这使研究人员能够在 TOF-MS 中进行离子解吸过程的特殊实验。实验取得了惊人的成功，他们意识到，通过以一定的延迟脉冲加速电压，可以显着提高仪器的质量分辨率，专家今天称这种方法为延迟提取。这一发现是弗兰克斯公司的最初触发因素。

 

 

 

高速高压开关：  我们正在设计和制造采用 MOSFET、SiC、IGBT、MCT 和晶闸管技术的单和推挽式开关配置的快速高压固态开关模块，适用于交流和直流，电压高达 200 kV。固态开关计划分为两个基本类别：具有固定导通时间的开关（产品组 A 至 B4）和具有可变导通时间的开关（产品组 C1 至 C8）。具有固定导通时间的开关非常经济，主要用于简单的充电或放电电路。由于其出色的 EMC 特性，它们是用于阻尼振荡的发电机电路中的理想开关元件，尤其是与 FDA 系列的快速续流二极管连接时。如果应用需要极高的 di/dt、极快的电压上升时间或极短的脉冲，则具有固定导通时间的开关也是首选。与具有固定导通时间的开关相比，具有可变导通时间的开关具有真正的继电器行为，因此更普遍适用。它们非常适合具有可变脉冲宽度、可变占空比的应用或需要无限导通时间的情况。和下降时间，通常与容性负载有关。与使用单个开关的设置相比，推挽电路不需要工作电阻器，因此在较高工作频率下的高压功耗方面效率更高。由于没有工作电阻，输入储能电容的尺寸可以减小到最小，而不会对产生的脉冲的顶部平坦度产生负面影响。因此，推挽开关是对脉冲形状有高要求的方波脉冲应用的理想选择。BEHLKE 开关模块始终是电气隔离的。它们可用作正电压和负电压的高边开关。如果在操作期间电压极性必须改变（例如在具有正负离子加速的 TOF 质谱仪中），然后考虑交流开关技术。交流开关可用作单开关和推挽开关。BEHLKE 开关的控制始终通过简单的 TTL 信号实现。内部控制和安全电路提供控制脉冲整形、过频和温度保护。开关不能被错误地控制。即使在最坏的操作条件下，它们也始终处于完全开启或关闭状态，绝不会介于两者之间。并且开通或关断上升时间不受任何外部影响，保证了整个应用电路非常高的开关重复性和非常好的长期可靠性。可变导通时间开关的控制电路有一个额外的禁止输入，允许连接外部过流传感器，外部热触发器或其他外部安全电路。所有开关都具有可选的冷却功能，例如改进的导热性（选项 ITC）、非导电陶瓷冷却表面（选项 CCS）、隔离铜冷却法兰（选项 GCF）、非导电陶瓷冷却法兰（选项 GCF-CER） ，或铜（选项 CF）或轻质石墨材料（选项 CF-GRA）的非隔离散热片。对于电晕临界应用，散热片也可以由非导电高性能陶瓷制成（选项 CF-CER）。如果空气冷却达到极限，则应用液体冷却。液体冷却有两种方式：间接液体冷却（选项 ILC）和直接液体冷却（选项 DLC）。间接液体冷却具有中等冷却效率，设计用于简单的导电和非导电冷却剂，例如自来水或去离子水。更高效、更适合高频操作的是直接液体冷却（选项 DLC），它利用全氟聚醚 (PFP​​E)、全氟碳 (PFC) 或氢氟醚 (HFE) 作为非导电冷却剂。可根据要求提供具有单独电气和机械修改的定制开关。请咨询 BEHLKE 或发送 可应要求提供具有单独电气和机械修改的定制开关。请咨询 BEHLKE 或发送 可应要求提供具有单独电气和机械修改的定制开关。请咨询 BEHLKE 或发送技术咨询。

 

 

晶闸管 / 晶闸管 / 可控硅 固定准时 可变接通时间 VAR。推拉 高压脉冲发生器 高压二极管 高压 液体冷却 高压元件

 

  开关，电流取决于导通时间，可控硅晶闸管。 千安应用，充电和放电，撬棍。

  开关，固定导通时间，标准，MOSFET。一般脉冲应用、充电和放电、脉冲电场。

  开关，固定导通时间， 高 di/dt，MOSFET。大电流、高频、卓越的突发能力、快速充放电。

  开关，固定导通时间，超快， MOSFET 。大电流、高di/dt 、中低频、超快充放电。

  开关，固定导通时间，低导通电阻，沟槽 FET。  大电流，中速充放电。

  开关，可变导通时间，标准，MOSFET。 一般脉冲和开关应用，快速上升时间，高频。

  开关，可变导通时间，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等频率的电流，快速上升时间。

  开关，可变导通时间，低电容，MOSFET。 低耦合电容。LC2 拓扑结构具有出色的瞬态抗扰度。

  开关，可变导通时间，低导通电阻，碳化硅 FET 和沟槽 FET。 高电流、低导通损耗

  开关，可变导通时间，交流 MOSFET。pos的双向开关。＆否定。电压无极变化。交流高达 5 MHz。

  开关，可变导通时间，IGBT。中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，MCT 晶闸管。 中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，推挽，MOSFET。半桥配置中的两个开关路径。真正的方波脉冲。

  开关，可变导通时间，交流推挽，MOSFET。无极性变化的正负电压半桥。

   高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元、特殊用途的 OEM 脉冲发生器单元、普克尔斯电池驱动器。

  FDA，快速恢复高压二极管组件。快速续流二极管和网络。

  DLC，用于高压电子设备的直接液体冷却。泵组、散热器、热交换器、冷却剂等。

  高压零件组件和配件。电阻器、电容器、快速高压探头、超快速高压衰减器。