德国原厂进口贝克BEHLKE 液体冷却器

液体冷却器 

 

LC-200W●液体冷却器，最高可使用 200W，用于连接现有散热器或大型金属外壳，90 x 60 x 42 mm³ 

 

LC-1500W●液体冷却器，最高可使用 1500W，用于连接现有散热器或大型金属外壳，250 x 144 x 50 mm³

 

择： 高压和脉冲电源应用总是意味着存在一定的火花和闪络风险，尤其是在环境条件、操作条件或负载条件发生意外变化的情况下。因此，固态开关的峰值电流能力应始终尽可能高，至少要高于应用可能出现的短路电流。关于额定电压的选择，我们建议 MOSFET 开关的安全裕度至少为 5%，所有双极开关（IGBT、MCT、SCR）的安全裕度至少为 20%，以最大程度地降低因意外电压波动或意外反激电压造成损坏的风险. 长期可靠性分别为 高压固态开关的平均故障间隔时间 (MTBF) 始终是其工作温度的函数。因此，我们强烈建议尽可能仅在中等温度下操作开关。这主要通过选择足够的导通电阻、电流容量、自然电容和耦合电容来实现。请参考我们的 电阻性和电容性功率损耗计算的一般说明。如果计算出的功耗超过 开关的 P d(max)额定值，则必须添加适当的冷却选项。请注意，个人 P d(max) 额定值始终参考 25°C 的外壳温度。这种实验室测试条件在实践中当然没有给出。设计人员还必须考虑增加的环境温度以及运行中的实际外壳温度。因此，许多应用需要特殊的冷却措施。BEHLKE 为各种情况提供广泛的冷却选项。设计人员可以在陶瓷冷却表面、散热片、冷却法兰和使用水或电介质冷却剂的液体冷却之间进行选择。请参阅数据表和以下产品调查了解更多信息。 技术支持： 为了排除任何技术上的误解，为了客户的利益，我们不提供任何口头咨询或电话技术支持，除非是不可避免的紧急情况。第一次咨询时，请仔细填写我们的问卷或在单独的表格中尽可能准确地描述您的申请，然后通过电子邮件将其发送给 BEHLKE  或传真。我们向您保证，您的所有技术信息都将严格保密。提交的保密协议 (NDA) 将在一个工作日内进行合法验证和签署。任何合格的售后支持都需要有关您的应用程序的完整信息集。这包括绘制或草绘的电路图、时序图、测量值和示波器屏幕截图，以及有关实际工作条件（电压、电流、频率、脉冲宽度、占空比、转换时间、工作温度等）的可靠信息。 . 实验设置的附加图片有助于更高效、更快速地分析和排除应用程序故障。由于我们的支持和开发部门的高产能利用率，

 

另请注意，BEHLKE 是一家真正的零部件制造商。我们为我们的产品提供免费支持，但除非我们明确订购，否则我们不会开发应用程序。我们也不对我们产品在客户应用中的功能承担任何责任或保证。感谢您的理解。

 

 

 

晶闸管 / 晶闸管 / 可控硅 固定准时 可变接通时间 VAR。推拉 高压脉冲发生器 高压二极管 高压 液体冷却 高压元件

 

  开关，电流取决于导通时间，可控硅晶闸管。 千安应用，充电和放电，撬棍。

  开关，固定导通时间，标准，MOSFET。一般脉冲应用、充电和放电、脉冲电场。

  开关，固定导通时间， 高 di/dt，MOSFET。大电流、高频、卓越的突发能力、快速充放电。

  开关，固定导通时间，超快， MOSFET 。大电流、高di/dt 、中低频、超快充放电。

  开关，固定导通时间，低导通电阻，沟槽 FET。  大电流，中速充放电。

  开关，可变导通时间，标准，MOSFET。 一般脉冲和开关应用，快速上升时间，高频。

  开关，可变导通时间，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等频率的电流，快速上升时间。

  开关，可变导通时间，低电容，MOSFET。 低耦合电容。LC2 拓扑结构具有出色的瞬态抗扰度。

  开关，可变导通时间，低导通电阻，碳化硅 FET 和沟槽 FET。 高电流、低导通损耗

  开关，可变导通时间，交流 MOSFET。pos的双向开关。＆否定。电压无极变化。交流高达 5 MHz。

  开关，可变导通时间，IGBT。中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，MCT 晶闸管。 中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，推挽，MOSFET。半桥配置中的两个开关路径。真正的方波脉冲。

  开关，可变导通时间，交流推挽，MOSFET。无极性变化的正负电压半桥。

   高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元、特殊用途的 OEM 脉冲发生器单元、普克尔斯电池驱动器。

  FDA，快速恢复高压二极管组件。快速续流二极管和网络。

  DLC，用于高压电子设备的直接液体冷却。泵组、散热器、热交换器、冷却剂等。

  高压零件组件和配件。电阻器、电容器、快速高压探头、超快速高压衰减器。